存储器价格情况:DRAM方面:2月价格延续下跌趋势,跌幅为1.47％-10.45％,本轮高点21年6月至23年2月累计跌幅为60％-74％。根据TrendForce,在消费性产品需求疲软及旺季不旺的背景下,22Q3内存位消耗与出货量持续呈现季减,仅三星在竞价策略下库存略降,各终端推迟采购导致供货商库存压力提升进而导致价格下跌;但随着DDR5渗透率提升,PC与服务器的DRAM总ASP跌幅或缩窄。供给端为避免DRAM产品再大幅跌价,诸如美光等多家供应商已开始积极减产;我们认为,随下游需求底部逐步复苏,行业库存逐步去化,供需关系逐步改善,预计23Q2DRAM价格跌幅将由23Q1的20％收敛至10％-15％,Q3价格跌幅有望进一步收缩。

【资料图】

NANDFlash方面:2月价格延续下跌趋势,跌幅为1.60％-11.03％,本轮高点21年7月至23年2月累计跌幅为30％-64％。根据TrendForce,目前NANDFlash正处于供过于求,由于下游终端产品需求仍疲弱,加上买方着重去库存而大幅减少采购量,使得NANDFlash22Q3wafer价格跌幅达30-35％。

ClientSSD与EnterpriseSSD在下游出货量下滑的预期下,采购量也下降,22Q4NANDFlash芯片价格跌幅扩大至15-20％;此外,NANDFlashwafer由于2022年第三季起原厂开始削价竞争导致合约价快速逼近各厂现金成本,NANDFlash在完全竞争市场的框架下,供货商有意使wafer报价加速落底。

由于多数供应商已开始减产,23Q1NANDFlash价格跌幅为10％-15％,我们预计23Q2NANDFlash芯片价格季跌幅将收敛至约8％,削价竞争也在原厂启动减产后获控制。由于当前NANDFlashWafer价格已近现金成本,芯片价格有望于23Q4止跌反弹;EnterpriseSSD作为原厂消耗库存的重要市场,且利润空间较大,预计价格下跌仍将持续。

存储模组方面:2月价格趋势整体下滑,高容量产品降幅较大。据CFM闪存市场,截至2月28日,近半年DDR4SODIMM(8GB3200)价格由约21美金降至约15.5美金,降幅约26％,OEMSSD(512GBSATA)价格由约35美金降至21美金,降幅约40％。11月下旬以来降幅有所收窄,我们认为模组厂商产品单价有望于23H1企稳回暖,随下游需求复苏而获得销量弹性,同时上游晶圆成本处于底部,有利于模组环节盈利水平修复。

交期及价格预测:货期趋势整体缩短,存储器模块交期仍维稳,价格短期仍跌,跌幅有望收缩。根据FutureElectronics,22Q4各厂商DRAM、NAND货期大多缩短,但存储模组货期仍维持稳定。根据TrendForce,23Q2NANDFlash价格跌幅将由23Q1的10％-15％收敛至5％-10％,23Q2DRAM价格跌幅将由23Q1的20％收敛至10％-15％,TrendForce预计若需求端未再持续下修,NANDFlash均价有望于23Q4止跌反弹。

厂商数据:各类型存储器价格承压之下,23年2月中国存储市场的重点公司营收同比环比持续下降,旺宏作为全球最大的只读存储器生产商,于22Q4减产20～25％,23年2月营收同比-42.9％,环比-6.5％;华邦电23年2月营收同比-33.2％,环比+17.6％,旗下中科厂22Q4减产30～40％;南亚科2月营收同比-68.5％,环比-10.0％,23年将持续缩减资本支出;力积电2月营收同比-44.2％,环比-6.1％。

供给侧与需求侧近况更新:供给端:22年需求疲软下行业库存持续攀升,目前部分存储颗粒价格接近厂商现金成本,部分厂商调降投片量,同时2023年资本开支及产能提升预期趋于保守,据Trendforce,铠侠旗下日本两座NAND厂已从10月起将晶圆产量减少30％,同时据各公司业绩会,美光2023财年资本支出由80亿美元降至70亿美元,同比-40％以上,当前稼动率已达历史最低点。SK海力士决定将此前预期的2023年CAPEX减少50％以上,西部数据提出2023年对设备投资总额为23亿美元,较三季报会议提出的27亿美元下降14.8％。产能方面,南亚科计划2023年新增独立自主开发的DDR5及1A制程产线。特纳飞将开展高端存储控制芯片项目,2025年完成新增3-4款主控芯片、存储模组的开发与量产。从历史周期看,资本开支增速与市场增速强相关性,随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率,我们预计23年行业供给增速低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,我们看好存储板块周期2023年下半年迎来见底。

需求端:22年库存积压、收入下滑,下游厂商“降成本、去库存“趋势明显。根据Wind,22Q2末华硕、联想、小米、浪潮的库存周转天数均创新高,22Q2分别为156/55/83/130天,22Q3分别为137/53/80/114天,虽仍远高于2019年的水平,但已有所去化。下游需求量来看,1)服务器端,我们预计库存料将在年底前恢复健康,看好23H2DDR5在服务器端需求提升,同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求(content)是传统的8x和3x;2)PC端:我们预计23年PC出货同比下滑中个位数(mid-single),目前下游存货已显著改善,23H2需求有望环比改善;3)手机及智能终端:我们预计全年智能手机出货同比略降,年内前低后高,库存逐季改善;4)汽车端稳健,预计工业端行业库存及需求23H2改善。总体而言,我们预计存储厂商库存23Q2达峰并逐步下调,23H2有望趋于健康水平,行业供过于求的格局有望改善。

行业新闻:3月15日,人工智能初创公司OpenAI正式公布最新一代人工智能语言模型GPT-4,GPT-4具备强大的识图能力,文字输入限制也提升至2.5万字,3月16日百度推出文心一言、微软推出Copilot,均为AI新品。AI新品陆续推出料将带动AI服务器、高带宽内存采购需求,23年年初开始,三星电子和SK海力士的高带宽存储器(HBM)订单大幅增加,未来随着AI新品持续推出与普及,我们看好存储龙头厂商优先受益。

投资建议:主流存储价格2月均延续下跌态势,跌幅环比有所收窄,目前部分存储颗粒价格接近厂商现金成本,已近周期底部。需求端看好23H2至24年下游需求回暖趋势,供给端部分厂商调降投片量或产能提升预期,我们认为23Q2后库存有望显著调降。供需关系来看,23年供过于求的格局有望改善,AI处于早期阶段,未来有望进一步拉动存储需求。展望未来,我们预计23Q3存储价格有望逐步止跌企稳,23H2行业景气有望底部复苏,下游库存显著改善,板块估值仍低。我们看好复苏预期下的行业性投资机会,建议关注:1)存储芯片设计:北京君正、兆易创新、东芯股份、普冉股份、恒烁股份等;2)存储模组:江波龙、深科技、佰维存储、德明利等;3)存储配套芯片:澜起科技、聚辰股份等。

风险因素:下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢等。

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